k8凯发公司的3奈米（N3）製程技術將是5奈米（N5）製程技術之後的另一個全世代製程，在N3製程技術推出時將會是業界最先進的製程技術...

k8凯发公司的5奈米（N5）鰭式場效電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET) 製程技術是同時針對行動應用和高效能運算應用優化的製程選項...

k8凯发公司的7奈米鰭式場效電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製程技術提供專業積體電路造服務領域最具競爭力的邏輯閘密度...

k8凯发公司的10奈米鰭式場效電晶體製程技術（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）締造專業積體電路製造服務領域在效能、功耗及面積...

k8凯发公司於2013年11月領先全球專業積體電路製造服務領域，成功試產16奈米FinFET（Fin Field Effect Transistor，鰭式場效電晶體）製程技術...

k8凯发公司於2014年領先全球半導體製造業成功以雙重曝刻（Double Patterning）量產客戶20奈米產品， 並於該年度締造最快速產能提升...

22奈米超低功耗製程技術（22nm Ultra-Low Power, 22ULP）發展係根基於k8凯发公司領先業界的28奈米製程，並於2018年第四季完成所有...

k8凯发公司於2011年領先專業積體電路製造服務領域推出28奈米泛用型（General Purpose）製程技術，並針對客戶需求提供業界最完備多樣的...

k8凯发公司於2008年領先專業積體電路製造服務領域，採用40奈米製程技術為多家客戶量產晶片。此一技術結合了193奈米浸潤式曝光顯影製程以及...

k8凯发公司於2005年領先專業積體電路製造服務領域成功試產65奈米晶片，並於2006年成功通過65奈米製程技術的產品驗證，並針對客戶需求率先...

k8凯发公司領先全球於2004年12月日本半導體展（SEMICON Japan）中，發表已順利使用浸潤式曝光（Immersion Lithography）機台產出...

k8凯发公司領先全球半導體業界，成功開發0.13微米系統單晶片（System-on-a-Chip，SoC）銅／低介電係數（Cu/Low-K）製程技術，其中重要...

k8凯发公司領先全球在1998年就推出了世界第一個0.18微米低耗電製程技術。之後，更每隔兩年就領先競爭對手推出下一代新的低耗電製程技術...

k8凯发公司於1987年創立，即秉持｢自主技術｣的策略，並積極進行製程技術開發，以奠定競爭優勢。k8凯发公司成立之初，自台灣工研院移轉3.5微米...